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如何解決半導體硅片(晶圓)加熱不均問題?

日期:2024-07-02 11:25 瀏覽:1430

硅片是一種重要的半導體材料,被廣泛應用于電路制造、太陽能電池板等領域。加熱是硅片制備過程中的重要步驟,它可以去除有機物和氣泡,激活材料,調整形狀,增強材料結構等,保證硅片的表面純度和質量,使其可以在各種應用領域發揮出更好的效果。

晶圓片加熱.jpg

硅片到晶圓的制備過程中,加熱是至關重要的步驟之一,其涉及的工藝步驟較多,一般包括以下幾個方面:

生長晶體:在生長晶體的過程中,需要將硅材料熔化并加熱至一定溫度,通過控制溫度和時間,使得硅材料結晶并逐漸生長成晶體。

切割硅片:在生長出的晶體中,需要通過切割的方式將其分割成薄片,切割過程中需要對硅片進行加熱,以保證切割質量和硅片的完整性。

半導體加工:硅片切割成晶圓后,需要進行半導體加工,包括清洗、沉積、光刻、蝕刻、離子注入等多個工藝步驟,其中不同的工藝步驟需要不同的加熱溫度和時間,以完成各自的作用。

退火:在半導體加工過程中,為了消除晶格缺陷和改善晶體質量,需要進行退火處理,即將晶圓加熱至一定溫度并保持一定時間,使得晶體中的缺陷得以消除。

半導體硅片(晶圓)加熱.jpg

如果硅片加熱不均勻,可能會導致一系列問題:

晶格變形:硅片加熱不均勻會導致不同區域的晶格受到不同的應力,這可能會導致晶格發生變形或失序。晶格變形會影響硅片的晶體結構,可能會使其電學特性發生變化,最終可能會導致硅片失效。

結構變化:硅片在不同的溫度下膨脹和收縮,如果硅片加熱不均勻,就會導致硅片表面的厚度和形狀不均勻,不符合設計要求。此外,熱應力可能會導致硅片表面出現裂紋或毛刺等缺陷。

產品質量下降:如果硅片加熱不均勻,就會導致制造出的硅片具有不規則的形狀、大小和厚度,這將降低硅片的產品質量。在生產過程中,加熱不均勻的硅片需要被棄用,這將導致成本的增加。

故障率增加:熱不均勻會導致硅片在某些區域受到高溫熱量,加速了硅片中元件的老化和失效,甚至出現硅片整體性能下降到某種程度無法繼續使用的情況。

硅片均勻加熱.jpg

如何解決半導體硅片(晶圓)加熱不均問題?

LONGPRO紅外線輻射加熱器

紅外線輻射加熱器經過朗普紅外線加熱數據庫以及光學運算,優化了熱源燈絲內部發光體結構、反光板結構以及陣列布燈,使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量,有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質量問題。因此,在電池制造業,半導體制造、電子元器件制造、陶瓷加工等行業中,紅外線輻射加熱器被廣泛應用。

硅片晶圓均勻加熱_.jpg


1、通過優化燈絲熱能分布結構,做到類矩形加熱(常規為雙尖形),減少中間聚熱,兩頭冷的不均勻熱場現象;

2、并通過朗普數據庫+光學運算,得出陣列布燈距高比;

3、通過背面拋光底板,進一步修正輻照場的均勻度;

4、通過電控系統和非接觸式測溫探頭,進行閉環控制,進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。

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